кремниевая технология у выпрямителя

Уровень управления затвором

Так как транзисторы рассчитаны на широкий диапазон напряжений от 40В до 250В и имеют разные значения сопротивлений открытого канала (RDS(on)) и заряда затвора (Qg), разработчик может оптимально подобрать транзистор по параметрам и цене для своего устройства. При высоте корпуса всего 0.9мм и стандартном расположении выводов, высокие значения тока и низкие RDS(on) обеспечивают большие КПД, плотность мощности и высокую надежность,Pпрекрасно подходя для разработки устройств с ограниченным местом на печатной плате.ЂЂЂ

Новые MOSFET, при производстве которых используются самые последние достижения IR в области кремниевой технологии разработки кристалла для получения максимальной эффективности работы транзисторов, предназначены для применения в различных устройствах, например, PDC-DC преобразователях для сетевого и телекоммуникационного оборудования, AC-DC преобразователях, электроприводах постоянного тока и других.

International Rectifier объявил о расширении семейства силовых HEXFET MOSFET и теперь имеет полноценную линейку транзисторов в корпусе PQFN 5х6мм, выполненных по оптимизированной технологии с применением медных клипс. Первый транзистор, выполненный по этой технологии, был выпущен во второй половине 2009 года.

Новые MOSFET от IR в корпусе PQFN с технологией медной клипсы

Новые MOSFET от IR в корпусе PQFN с технологией медной клипсы

электронные компоненты и сервисы

Новые MOSFET от IR в корпусе PQFN с технологией медной клипс...